ion implantation; semiconductor doping; semiconductor device models; Monte Carlo methods; fluctuations; MOSFET; statistical fluctuation analysis; Monte Carlo ion implantation method; Vt fluctuations; dopant profile variation; sub-100 nm MOSFETs; 100;
机译:蒙特卡洛离子注入法统计阈值电压波动
机译:使用Monte-Carlo和替代方法,PWR中Lbloca的不确定性量化分析及统计估计
机译:基于Monte Carlo的调解模型的统计功率分析:方法和软件
机译:蒙特卡罗离子注入方法统计波动分析
机译:用于分析高温反应堆的先进蒙特卡洛方法:动态多普勒加宽和确定性/蒙特卡洛方法。
机译:在非正常剂量分布的相关采样蒙特卡罗代码中估算Monte Carlo效率的统计不确定性
机译:离子注入monte Carlo模拟三种轨迹分裂方法的统计精度和CpU时间特性