MIS structures; semiconductor thin films; thickness measurement; superconductive tunnelling; aluminium; silicon compounds; oxide thickness estimation; current-voltage characteristics; thin metal-oxide-semiconductor structure; time-dependent Schrodinger equation; effective mass theory; quantum mechanical electron tunneling; square potential model; current density-voltage; J-V curves; oscillation extrema; quantum mechanical model; wave interference formula; electron effective mass; oxide layer; electron energy distribution; 3 eV; 50 angstroms; 70 angstroms; 100 angstroms; 140 angstroms; 3 V; Al; SiO/sub 2/; Si;
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