gallium arsenide; III-V semiconductors; semiconductor heterojunctions; transmission electron microscopy; photoluminescence; photoreflectance; wafer bonding; semiconductor epitaxial layers; GaAs/Si heterostructure; wafer bonding; GaAs wafers; Si wafers; G;
机译:通过电流注入到通过晶片键合制造的GaAs / AIGaAs耦合多层腔中的室温双色激光
机译:通过直接晶片键合和层转移工艺制造的金属-铁电-硅异质结构的结构和电性能
机译:用低温生长的GaAs缓冲层制造的GaAs异质结构FET的电荷收集特性
机译:使用旋转玻璃中间层,通过低温晶片键合制造的GaAs / Si异质结构材料的性质
机译:使用透明角和原子层沉积技术制造的异质结构超材料的晶状体性能,并使用有限元和光谱椭圆形测定方法分析
机译:低温键合法制备的LNOI / Si杂化晶片铌酸锂薄膜层中的残余应力
机译:通过直接晶片键合制造的si / Gaas异质结构
机译:通过晶圆键合和层转移制造具有40%目标效率的四结太阳能电池:最终技术报告,2005年1月1日 - 2007年12月31日