electrostatic discharge; integrated circuit reliability; protection; CMOS integrated circuits; capacitance; integrated circuit noise; mixed analogue-digital integrated circuits; integrated circuit design; high-speed integrated circuits; fail-safe ESD;
机译:0.18- / splμm/ m SiGe BiCMOS工艺中用于ESD保护设计的低泄漏深沟道二极管的特性
机译:0.18μmCMOS工艺中基于SCR的生物医学集成电路ESD保护装置的研究
机译:用于ULSI电路应用的0.18 / spl mu / m CMOS技术中互连参数的片上特性和时间延迟
机译:故障安全的ESD保护电路,具有230 FF线性电容,用于高速/高精度0.18μmCMOSI / O应用
机译:用于砷化镓异质结双极晶体管(HBT)射频集成电路(RFIC)的低负载电容片上静电放电(ESD)保护电路。
机译:设计和分析具有恒定输入电容的片上EsD保护电路,用于高精度模拟应用