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机译:用于ULSI电路应用的0.18 / spl mu / m CMOS技术中互连参数的片上特性和时间延迟
机译:0.18- / spl mu / m CMOS技术中栅极延迟的通道宽度依赖性表征
机译:比较模拟应用中0.18和0.25 / spl mu / m CMOS技术中的电离辐射效应
机译:采用0.18- / spl mu / m CMOS技术的集成功率晶体管,用于RF片上系统应用
机译:0.15 / spl mu / m CMOS技术中互连线引起的延迟时间的片上表征,具有7级金属化
机译:高性能CMOS集成电路中的片上互连噪声。
机译:采用0.18μmCMOS技术的超低功耗RFID / NFC前端IC用于无源标签应用
机译:采用0.18- / spl mu / m CMOS的5.2-GHz RF功率采集器,用于植入式眼压监测