机译:低压应力引起的泄漏电流和超薄(1.2-2.3 nm)氧化物击穿时间
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机译:建模超薄SIO_2栅氧化物的击穿和击穿统计
机译:用于对超薄氧化物(TOX <32A)进行击穿模拟的时间
机译:高压介电应用中氧化锌和二氧化钛中电击穿和热故障的建模和仿真
机译:关于碳掺杂GaN中供体/受体补偿比的建模在横向GaN功率Hemts中的单一再现击穿电压和电流塌陷
机译:超薄栅极氧化物的氧化物击穿电压和温度加速度的相互作用