机译:PECVD和SACVD沉积的低应力TEOS /臭氧的沟槽填充特性
机译:先进CMOS器件的有源几何构型和浅沟槽隔离(STI)应力的优化
机译:[11(2)over-bar0]的轻微沟槽方向未对准对SiC超结器件的深沟槽填充外延的强烈影响
机译:通过使用深亚微米全CMOS器件中的应力最小化沟槽填充CVD氧化物的优化组合
机译:采用深亚微米CMOS技术的功率优化流水线模数转换器设计。
机译:深沟槽隔离和倒金字塔结构用于通过仿真提高CMOS图像传感器中光电二极管的光学效率
机译:采用浅沟槽隔离的深亚微米VLsI CmOs器件的闭合背栅偏置相关反向窄通道效应模型