机译:用于硬化软错误的11晶体管纳米级CMOS存储单元
机译:在SOI(FBC)上使用单晶体管增益单元的存储器具有适合嵌入式DRAM的性能-单元特性和存储器性能的测量结果
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机译:软误差免疫180 / SCL MU / M / SUP 2 / SICO向上晶体管存储器,适用于超高速高密度双极存储器
机译:高密度动态随机存取存储器阵列中由α粒子引起的软错误的分析。
机译:高密度Ni纳米粒子的等离子体辅助原子层沉积用于非晶In-Ga-Zn-O薄膜晶体管存储
机译:一个双极晶体管选择器 - 一个用于交叉存储器阵列的电阻随机存取存储器件
机译:3D-HIm:用于双极RRam设计的3D高密度交错存储器。