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【24h】

A fully planarized 8M bit ferroelectric RAM with 'chain' cell structure

机译:具有“链”单元结构的完全平面化的8M位铁电RAM

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摘要

A 8M-bit fully functional ferroelectric RAM (FeRAM) with 0.25 /spl mu/m CMOS process was successfully fabricated by using a highly reliable Pt-SRO-PZT-SRO-Pt stacked capacitor and aluminum reflow based low damage metallization process. The chip area of 76 mm/sup 2/ was achieved by using a 'chain' cell structure.
机译:通过使用高度可靠的Pt-SRO-PZT-SRO-Pt堆叠电容器和基于铝回流的低损伤金属化工艺,成功制造了具有0.25 / spl mu / m CMOS工艺的8M位全功能铁电RAM(FeRAM)。通过使用“链”单元结构,可实现76 mm / sup 2 /的芯片面积。

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