GaAs MMIC PIN Diodes SPDT Switcher

机译：GaAs MMIC PIN二极管SPDT切换器

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This paper presents the description of GaAs MMIC PIN diodes switch design. The process included experimental part of pin diodes parameters determination. Epitaxial wafers substance was produced using VPE

机译：本文介绍了GaAs MMIC PIN二极管开关设计的描述。该过程包括实验部分的pin二极管参数确定。外延晶片物质是使用VPE生产的

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来源
《》|2006年|191-192|共2页
会议地点
作者
A. A. Barov; S. M. Gushchin;
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中图分类
关键词
III-V semiconductors; MMIC; gallium arsenide; microwave switches; p-i-n diodes; parameter estimation; vapour phase epitaxial growth; GaAs; MMIC PIN diodes; SPDT; VPE; epitaxial wafers substance; monolithic microwave integrated circuit; parameters determination; single;

机译：III-V型半导体; MMIC;砷化镓;微波开关; P-I-N二极管;参数估计;气相外延生长; GaAs; MMIC PIN二极管; SPDT; VPE;外延晶片物质;单片微波集成电路;参数确定;单个;

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