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【2h】

Low-Loss Millimeter-Wave SPDT Switch MMICs in a Metamorphic HEMT Technology

机译：在变质HEMT技术中的低损耗毫米波SPDT开关MMIC

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Fabian Thome; Arnulf Leuther; Oliver Ambacher;
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年度 2020
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1. Low-Loss Millimeter-Wave SPDT Switch MMICs in a Metamorphic HEMT Technology [J] . Thome Fabian, Leuther Arnulf, Ambacher Oliver IEEE microwave and wireless components letters . 2020,第2期

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2. 42 GHz MMIC SPDT bandpass filter-integrated switch using HEMT loaded coupled lines [J] . Shih-Fong Chao Electronics Letters . 2012,第9期

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3. Frequency Multiplier and Mixer MMICs Based on a Metamorphic HEMT Technology Including Schottky Diodes [J] . Thome Fabian, Ture Erdin, Iannucci Robert, Quality Control, Transactions . 2020,第期

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4. Comparison of a 35-nm and a 50-nm Gate-Length Metamorphic HEMT Technology for Millimeter-Wave Low-Noise Amplifier MMICs [C] . Fabian Thome, Arnulf Leuther, Hermann Massler, IEEE MTT-S International Microwave Symposium . 2017

机译：35nm和50nm栅极长度变质HEMT技术对毫米波低噪声放大器MMIC的比较
5. Development of millimeter-wave broadband power amplifier MMICs using gallium nitride HEMTs. [D] . Santhakumar, Rajkumar. 2010

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6. An Improved Large Signal Model for 0.1 μm AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs) Process and Its Applications in Practical Monolithic Microwave Integrated Circuit (MMIC) Design in W band [O] . Junfeng Li, Shuman Mao, Yuehang Xu, 2018

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7. Frequency Multiplier and Mixer MMICs Based on a Metamorphic HEMT Technology Including Schottky Diodes [O] . Fabian Thome, Erdin Ture, Robert Iannucci, 2020

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