MOSFET; hole mobility; internal stresses; semiconductor device reliability; CMOS transistor performance; channel orientation; lattice-mismatched materials; lattice-mismatched source-drain; source-drain regions; strain engineering; surface orientation;
机译:在源/漏区中使用晶格不匹配的材料来增强CMOS晶体管的性能
机译:带硅源和漏区的绝缘体上应变硅锗锗n沟道晶体管,以提高性能
机译:考虑源极和漏极耗尽区带间隧道效应的全范围双材料栅极隧道场效应晶体管漏极电流模型
机译:使用源/漏区中的晶格错配材料增强CMOS晶体管性能
机译:寒冷气候地区使用的刚性路面修补材料的增强性能标准。
机译:作为后CMOS器件基于石墨烯的横向异质结构晶体管表现出比基于石墨烯的垂直晶体管更好的固有性能
机译:具有自对准源极/漏极区域的氧化锌薄膜晶体管掺杂注入硼以提高热稳定性