silicon-on-insulator; CMOS integrated circuits; MOSFET; nanotechnology; SOI CMOS; SOI MOSFET; transistor critical dimension; channel length; channel width; silicon film; buried oxide; gate oxide;
机译:未来CMOS器件中Ⅲ-Ⅴ类半导体的表面钝化-过去的研究,现状和未来的关键问题
机译:基于90nm SOI CMOS工艺的H-Gate超薄栅极氧化物部分耗尽的SOI pMOS和nMOS器件中浮体电位的比较
机译:单层掺杂工艺在单晶Si和GE中为未来CMOS器件的超浅接线形成
机译:SOI CMOS:较小的设备,更大的未来
机译:用于超低压应用的钨栅完全耗尽SOI CMOS器件和电路的研究。
机译:超越CMOS:III-V器件RF MEMS和其他异种材料/器件与Si CMOS的异构集成以创建智能微系统
机译:低于100nm sOI CmOs微处理器代工厂的单片硅光子学:从器件到系统的进步