CMOS integrated circuits; DRAM chips; nanotechnology; system-on-chip; 90 nm; CMOS 90nm technology; IT cell; bulk substrate; embedded memory; gate length; gate oxide thickness; high density eDRAM; logic process integration; low-cost eDRAM applications; memory effect am;
机译:90nm CMOS技术的超低功耗亚阈值CMOS反相器
机译:CMOS成像器可以进行电荷耦合:现有的技术可以增加CMOS成像器的电荷耦合,从而为低成本CMOS器件带来电荷耦合的低噪声优势
机译:更正水平电流双极晶体管(HCBT)–一种低成本,高性能,灵活的BICMOS技术,适用于RF通信应用
机译:缩放的IT-Bulk设备,采用CMOS 90NM技术构建,用于低成本EDRAM应用
机译:CMOS技术中的双极性器件表征和设计,用于设计高性能低成本BiCMOS模拟集成电路
机译:PNP PIN双极型光电晶体管适用于采用180nm CMOS工艺的高速应用
机译:采用90nm CMOS技术的1.2V 5.14mW正交频率合成器,用于2.4GHz ZigBee应用
机译:采用90nm CmOs技术的205GHz放大器。