ULSI; copper; dielectric thin films; etching; integrated circuit interconnections; permittivity; plasma CVD; polymerisation; reliability; silicon compounds; BCB pore-seal technique; Cu damascene interconnects; MPS film; SDI; ULSI devices; interline dielectric reliabili;
机译:45纳米节点按比例缩小的铜互连与分子孔堆叠(MPS)SiOCH膜的可行性研究
机译:45纳米节点按比例缩小的铜互连与分子孔堆叠(MPS)SiOCH膜的可行性研究
机译:坚固的铜双金属镶嵌与通过低损伤多硬掩模蚀刻技术制造的多孔SiOCH薄膜互连
机译:一种新型分子孔堆叠(MPS),全鳞型胶片的可行性研究,45nm节点Cu镶嵌互连
机译:双镶嵌铜互连的通孔可靠性研究。
机译:用于进一步缩小超大型集成器件-Cu互连的等离子增强化学气相沉积SiCH膜的低k覆盖层的材料设计
机译:EL / Cu薄膜互连电迁移诱导故障统计分布的比较研究