CMOS memory circuits; random-access storage; magnetoresistive devices; magnetic film stores; integrated circuit technology; MRAM technology; magnetic tunnel junction material; MTJ elements; CMOS technology integration; process-induced damage; magneto;
机译:在IBM开发磁性隧道结MRAM:从第一个结到16-Mb MRAM演示器芯片
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机译:自旋传递扭矩(STT)MRAM的磁性隧道结中使用倾斜磁各向异性的参考层降低开关电流的提案
机译:具有改进的磁隧道结材料的高性能MRAM技术
机译:垂直磁各向异性材料和磁隧道结的切换研究
机译:隧道-磁阻比对纳米级间隔物厚度和双MgO基垂直磁隧穿结材料的依赖性
机译:基于磁隧道结的高密度MRAM器件技术
机译:使用非晶材料作为参考和自由层的磁隧道结。