首页> 外文会议> >Absorption saturation nonlinearity in InGaAs/InP p-i-n photodiodes
【24h】

Absorption saturation nonlinearity in InGaAs/InP p-i-n photodiodes

机译:InGaAs / InP p-i-n光电二极管的吸收饱和非线性

获取原文

摘要

The agreement between the measured nonlinear response and the absorption saturation simulation for different absorber thickness provides strong evidence of an absorption-saturation photodiode nonlinearity. We have improved the linearity of a photonic ADC by developing large-area, thick photodiodes.
机译:对于不同的吸收层厚度,所测得的非线性响应与吸收饱和模拟之间的一致性为吸收饱和光电二极管的非线性提供了有力的证据。通过开发大面积的厚光电二极管,我们提高了光子ADC的线性度。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号