机译:具有低导通电压的GaAs / Ga_0.89In_0.11N_0.02As_0.98 / GaAs NpN双异质结双极晶体管
机译:具有低导通电压的高速InGaP / InGaAsN / GaAs NpN双异质结双极晶体管
机译:低导通电压和大电流$ hbox {InP} / hbox {In} _ {0.37} hbox {Ga} _ {0.63} hbox {As} _ {0.89} hbox {Sb} _ {0.11} / hbox { In} _ {0.53} hbox {Ga} _ {0.47} hbox {As} $双异质结双极晶体管
机译:GaAs-Ga / sub 0.89 / / sub 0.11 / n / sug 0.02 / AS / SUS 0.98 / -GAAS NPN双异质结双极晶体管,具有低开启电压的设计和表征
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:变质InAs / InGaAs / GaAs量子点异质结构光电压中的双极效应:光敏器件的表征和设计解决方案
机译:通过热处理降低NPN分级基础AlGaN / GaN异质结双极晶体管的开启电压
机译:InGap / InGaasN / Gaas NpN双异质结双极晶体管