机译:1.52 / spl mu / m InGaAsP / AlGaAs垂直腔激光器的30 / spl deg / C CW操作,通过局部聚变就地内置横向电流限制
机译:1.5- / spl mu / m垂直腔面发射激光器的脉冲电操作
机译:具有优化的多量子阱有源层的1.5 splμm/ m垂直腔面发射激光器的低阈值室温脉冲操作
机译:房间 - 温度脉冲操作1.5 / SPL MU / M三重熔断垂直腔表面发射具有原位内置横向电流限制的激光器
机译:通过分子束外延生长1.5微米氮化铟镓砷化锑锑化物垂直腔表面发射激光器。
机译:室温2D半导体激活的垂直腔面发射激光器
机译:具有优化的多量子阱有源层的1.5μm垂直腔面发射激光器的低阈值,室温脉冲操作