机译:CMOS /厚SOI移位寄存器中的动态单事件效果
机译:0.25 / splμ/ m CMOS技术的静态和动态寄存器中的单事件效果
机译:单事件瞬态效应对28 nm FDSOI CMOS技术中动态比较器的影响
机译:CMOS /厚SOI移位寄存器中的动态单事件效果
机译:体和SOI FinFET中的辐射引起的单事件瞬变(SET)效应以及与体CMOS的鲁棒性比较。
机译:多基因适应环境的变化:高斯稳定选择和单一性状的加性效应下的变化的时间动态。
机译:采用$ 0.25- \ mu-m $ CMOS技术的静态和动态寄存器中的单事件效果