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机译:单事件瞬态效应对28 nm FDSOI CMOS技术中动态比较器的影响
机译:时钟网络在28nm CMOS技术下的单事件瞬态灵敏度评估
机译:65 nm CMOS和28 nm FDSOI技术节点中硅光子链路的效率优化
机译:脉冲淬火基于28 nm批量CMOS过程的模拟单事件瞬态缓解模拟单事件瞬态缓解的辐射硬化
机译:工艺和温度对28nm FDSOI CMOS中单事件瞬变的影响
机译:铟镓砷化物MOSFET的单一事件瞬变,用于SUB-10 NM CMOS技术
机译:0.18 µm CMOS工艺中的高速,低偏移动态锁存比较器的设计
机译:具有150nm FDSOI CMOS-3d技术的全输入范围的失调补偿比较器