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Total Ionizing Dose Effects In 12-bit Successive-approxmation Analog-to-digital Converters

机译：12位逐次逼近型模数转换器中的总电离剂量效应

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来源
《》|1993年|P.112-117|共6页
会议地点
作者
Lee; C.I.; Rax; B.G.;
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会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类无线电电子学、电信技术;
关键词

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1. The total ionizing dose effect in 12-bit, 125 MSPS analog-to-digital converters [J] . Wu Xue, Lu Wu, Li Yudong, Journal of Semiconductors . 2014,第4期

机译：12位125 MSPS模数转换器中的总电离剂量效应
2. Total ionizing dose effects on 12-bit CBCMOS digital-to-analog converters [J] . Wang Xin, Lu Wu, Guo Qi, Journal of Semiconductors . 2013,第12期

机译：总电离剂量对12位CBCMOS数模转换器的影响
3. Total ionizing dose effects on high resolution (12-/14-bit) analog-to-digital converters [J] . Lee C.I., Rax B.G. IEEE Transactions on Nuclear Science . 1994,第6期

机译：总电离剂量对高分辨率（12位/ 14位）模数转换器的影响
4. Total Ionizing Dose Effects In 12-bit Successive-approxmation Analog-to-digital Converters [C] . Lee C.I., Rax B.G., Institute of Electric and Electronic Engineer IEEE Radiation Effects Data Workshop . 1993

机译：12位连续近似模数转换器中的总电离剂量效果
5. Total Ionizing Dose and Dose Rate Effects on (Positive and Negative) BJT Based Bandgap References [D] . Davis, Parker 2019

机译：总电离剂量和剂量率对（正负）BJT带隙基准的影响
6. Comprehensive Research of Total Ionizing Dose Effects in GaN-Based MIS-HEMTs Using Extremely Thin Gate Dielectric Layer [O] . Sung-Jae Chang, Dong-Seok Kim, Tae-Woo Kim, 2020

机译：使用极薄的栅极介电层综合电离剂量效应的全电离剂量效应
7. Evaluation of High Performance Converters Under Low Dose Rate Total Ionizing Dose (TID) Testing for NASA Programs [O] . Sahu Kusum, Sharma Ashok K. 1998

机译：在NASA计划的低剂量率总电离剂量（TID）测试下评估高性能转换器
8. Total Ionizing Dose Effects in 12-Bit Successive-Approximation Analog-To-Digital Converters [R] . Lee, C. I., Rax, B. G., Johnston, A. H. 1993

机译：12位逐次逼近模数转换器中的总电离剂量效应

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