机译:施主和受主调制掺杂中AlGaAs / InGaAs / GaAs异质结构中杂质分布对二维电子气迁移率的影响
机译:具有高电子密度的组合掺杂HFET结构AlGaAs / InGaAs / AlGaAs的散射和电子迁移率
机译:InGaAs / AlGaAs拟晶高电子迁移率晶体管结构中二维电子气的光学研究
机译:250 AA间隔GaAs / Algaas二维电子气体(2deg)结构,散热量超过3×10 / sup 6 / cm / sup 2 / V-1 / sub s / -1,为4 k
机译:通过分子束外延生长低无序GaAs / AlGaAs异质结构,以研究二维相关电子相。
机译:高迁移率GaAs / AlGaAs 2D电子系统中可调谐电子加热引起的巨磁阻
机译:改进的mBE硬件和技术以及镓纯度的作用 二维电子气迁移率> 35 x10 ^ 6 cm ^ 2 / Vs in 由mBE生长的alGaas / Gaas量子阱