机译:具有极高增益的低噪声伪晶双栅共源共栅HEMT
机译:较低千兆赫兹频率范围内的MESFET和HEMT的改进噪声模型
机译:HEMT和MESFET中的输出电导频率色散和低频噪声
机译:双门Cascode Mesfet和Hemts在低噪声水平下具有非常高的增益
机译:用于低噪声应用的铜/钛金属化GaAs MESFET和HEMT的制造,测试和可靠性建模。
机译:预先暴露于较低水平的噪声可减轻由于高水平噪声引起的耳蜗突触损失
机译:栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由低频噪声和脉冲电测量证明,栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由脉冲I-V和低频噪声测量证明
机译:双栅极mesfet可变增益恒定输出功率放大器