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机译:低噪声,高增益MESFET制造,在低电流水平下性能得到改善
公开/公告号KR910003826A
专利类型
公开/公告日1991-02-28
原文格式PDF
申请/专利权人 빈센트 죠셉 로너;
申请/专利号KR19900009621
发明设计人 비제이 케이.내어;슈차이-이 우;닐 멜렌;
申请日1990-06-28
分类号H01L29/00;
国家 KR
入库时间 2022-08-22 05:52:00
机译: 低噪声和高增益测量,在低电流水平下具有改善的性能
机译: 用于基于电流的发光二极管照明器的模拟调光的电路和方法,在低电流水平下具有改进的性能
机译: 用于发光二极管照明器的基于电流的模拟调光的电路和方法,在低电流水平下具有改进的性能