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W-Band Microstrip Oscillator Using InP Gunn Diode

机译:使用InP Gunn二极管的W带微带振荡器

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摘要

A low cost, light weight, rugged microstrip oscillator with a very simple structure has been developed in W-Band (34 GHz). The active element is an InP Gunn device operating in its fundamental mode of oscillation. The oscillator provides 35 mW of CW output power and a bias tuning bandwidth of 400 MHz.
机译:在W波段(34 GHz)中开发了一种结构非常简单的低成本,轻巧,坚固的微带振荡器。有源元件是一个InP Gunn器件,以其基本振荡模式运行。该振荡器提供35 mW的CW输出功率和400 MHz的偏置调谐带宽。

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