Department of Electronics. Tallinn University of Technology, Estonia;
Department of Electronics. Tallinn University of Technology, Estonia;
Department of Electronics. Tallinn University of Technology, Estonia;
Department of Electronics. Tallinn University of Technology, Estonia;
Department of Electronics. Tallinn University of Technology, Estonia;
reverse recovery time; Schottky diode; barrier capacitance; series-on resistance;
机译:具有非晶扩散势垒的Al-TiW-PtSi / n-Si肖特基势垒二极管中正向和反向偏置电流-电压特性的温度依赖性
机译:具有嵌入式自组装Inas量子点的Au / n-gaas肖特基二极管中电容和反向电流噪声的理想因子相关性
机译:Sn / p-GaTe肖特基二极管的反向偏置电容-电压特性与温度的关系
机译:反向恢复时间对肖特基二极管屏障电容和串联电阻的依赖性
机译:陷阱对硒肖特基势垒二极管电容的影响
机译:湿度影响α粒子辐照的Al / DNA / Al肖特基二极管的电容和电阻
机译:AU / PPY / N-Si(MPS)型肖特基势垒二极管(SBD)温度依赖性反向偏置电容 - 电压(C-V)特性的研究在100 kHz和500 kHz
机译:低电容电子束制造的束引线肖特基势垒二极管。 1981年3月至1985年1月的最终技术报告