机译:在P-GaN上使用Ni / ITO透明p触点的IngaN / GaN MQWS发光二极管电气和光学性能的影响
机译:通过插入n〜+ -InGaN电子注入层和p-InGaN / GaN空穴注入层来改善InGaN / GaN MQWs发光二极管的静电放电特性
机译:V坑嵌入式InGaN / GaN超晶格对GaN基绿色发光二极管的光学和电学性质的影响
机译:改善Ingan / GaN MQW发光二极管光学性能的新加工
机译:发射蓝光的InGaN / GaN MQW中不均匀性的光学表征。
机译:聚苯乙烯纳米光学光刻法制备的光子晶体结构P-GAN纳米棒的研究提高了INGAN / GAN绿色发光二极管光提取效率
机译:V-Pits Embedded Ingan / GaN超晶格对GaN的绿色发光二极管光学和电性能的影响(物理SOLVI A 5/2017)
机译:用于激光二极管应用的GaN,InGaN和GaN / InGaN量子阱结构的mBE生长和性质