College of Optical Sciences, University of Arizona, Tucson, Arizona, 85721, USA Nonlinear Control Strategies Inc., 5669 N. Oracle Rd., Suite 2001, Tucson, Arizona, 85704;
College of Optical Sciences, University of Arizona, Tucson, Arizona, 85721, USA Nonlinear Control Strategies Inc., 5669 N. Oracle Rd., Suite 2001, Tucson, Arizona, 85704;
Department of Physics and Materials Sciences Center, Philipps Universitat Marburg,Renthof 5, 35032 Marburg, Germany;
S emiconductor lasers; GaN; efficiency droop; microscopic modeling; photo luminescence; gain; Auger recombination;
机译:密度激活的缺陷复合可能是GaN基二极管效率下降的可能解释
机译:基于InGaN的发光二极管中效率下降的解释:随机分布的富裕有源区的饱和辐射复合速率
机译:勘误表:基于InGaN的发光二极管中的效率下降的解释:随机分布的富裕有源区域的饱和辐射复合速率
机译:密度激活的缺陷复合可能是GaN基发光体效率下降的可能解释
机译:研究和优化GaN基发光二极管中的载流子传输,载流子分布和效率下降
机译:激光发射前GaN基激光二极管效率下垂现象的研究
机译:蓝宝石和硅基板上生长的GaN的发光二极管效率下垂和有效活性量