Graduate School of Bio-Applications and Systems Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, Nakamachi, Koganei-shi, Tokyo 184-8588 Japan;
CVD; NH_3; silicon trench; tungsten nitride; WF_6;
机译:HFCVD作为铜的扩散阻挡层合成非晶钨/氮化钨的热稳定性
机译:Cl-4(PhCN)W(NPh)作为用于沉积氮化钨(WNx)薄膜的单源MOCVD前驱体
机译:新型钨(VI)胍基配合物:氮化钨薄膜的合成,表征及其在金属有机化学气相沉积中的应用
机译:钨氮化钨的脉冲沉积及其应用于直接填充钨通孔
机译:使用PVD两步氮化钛阻挡层工艺的优势,以及由于钨膜的不均匀性,钨膜沉积产生的残留副产物对工艺集成的影响。
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:新钨(VI)胍蛋白基复合物:合成,表征和在金属 - 有机化学气相沉积钨氮化物薄膜的应用
机译:作为氮化钨前体的氮化钨配合物的合成