Department of Physics and Key Laboratory of Radiation Physics and Technology of Ministry of Education, Sichuan University, Chengdu, China 610064;
Laser Fusion Research Center, China Academy of Engineering Physics, Mianyang, China 621900;
electron beam evaporation; Fe_xAl_(1-x) films; resistivity; annealing; micorstrucrure;
机译:退火温度和CuO对Cu_xZn_(1-x)O薄膜微结构和光学带隙的影响
机译:退火温度对TIC薄膜微观结构和电阻率的影响
机译:退火温度对磁控溅射低电阻率Si / Si-N / Ta-N薄膜微结构和光致发光的影响
机译:退火温度对Fe_Al_(1-X)薄膜微结构和电阻率的影响
机译:氢退火和衬底温度对射频溅射氧化锌薄膜性能的影响
机译:基材工艺条件和生长ZnO薄膜性能的底蛋白温度通过连续的离子层吸附和反应方法
机译:退火温度对TIC薄膜微观结构和电阻率的影响
机译:室温薄膜Ba(x)sr(1-x)TiO3 Ku波段耦合微带相移器:膜厚度,掺杂,退火和基板选择的影响