Materials Department 6, University of Erlangen, Martensstr.7, 91058 Erlangen, GERMANY;
p-type SiC; dislocations; stacking faults; bipolar devices;
机译:高n型掺杂与高p型掺杂6H-SiC本体生长过程中基面位错的演化和稳定性
机译:高掺杂4H-SiC外延层中基面位错堆积缺陷的观察
机译:Na_2O_2添加剂熔融KOH刻蚀在高掺杂n型4H-SiC中的位错揭示。
机译:高p型掺杂与高n型掺杂SiC的基面位错动力学
机译:磷掺杂的n型和氢掺杂的p型CVD金刚石薄膜的光电研究。
机译:高浓度HF电解质中高掺杂n型4 H-SiC的室内光阳极蚀刻:C和Si晶面之间的差异
机译:采用高掺杂衬底的siC升华外延中的p型和n型掺杂