Fac. Sci. Technol. Nano-Factory Meijo University: Department of Materials Science and Engineering, Faculty of Science, Meijo University 1-501 Shiogamaguchi, Tempaku-ku, Nagoya 468-8502, Japan;
sublimation; homoepitaxial growth; GaN heteroepitaxial growth; off-oriented angle; donor-acceptor pair emission; phosphor; nitride-based light-emitting diode;
机译:升华法在6H-SiC衬底上生长AlN块状单晶
机译:开放系统升华法在6h-sic衬底上单晶生长氮化铝
机译:通过升华晶棒生长技术在(1120)6H-SiC衬底上生长的6H-SiC单晶中的空心缺陷的减少
机译:密闭空间升华方法在1°-off衬底上进行硼和氮掺杂的供体-受体对(DAP)的6H-SiC同质外延生长和光学性质
机译:Si衬底取向对通过闭空间升华(CSS)在不使用掩模的情况下对Si(111)和Si(211)衬底上CdTe选择性生长的质量的影响
机译:对基于光学特性调制的正电子发射断层扫描辐射检测方法重要的材料特性的研究
机译:开放式系统升华法在6H-SiC基材上的氮化铝的单晶生长
机译:用于非线性光学应用的ZnGep2的制备:熔体和同质异向蒸汽生长,生长晶体的性质