Ioffe Institute, RU-194021 St. Petersburg, Russia;
defects; detector; diodes; ion implantation; pn junctions; SiC;
机译:适用于4H-SiC VDMOSFET器件的新型高级分析设计工具
机译:大剂量Al〜+注入4H-SiC的微波退火:器件制造
机译:Al〜+注入的4H-SiC的微波退火:面向器件制造
机译:Al〜+植入4H-SiC的微波退火:朝向器件制造
机译:离子注入碳化硅器件的制造和深层表征。
机译:高效率保护的4H-SIC动力装置CFM-JTE的表征和制造及JTE剂量耐受窗口
机译:聚焦离子束注入作为制造纳米机电设备的工具
机译:离子注入和激光加工III-V化合物半导体及其在微波器件制造中的应用