Corporate Research, ABB Group Services Center AB, SE-721 78 Vaesteras, Sweden;
300A/4.5KV SiC diodes; forward degradation; JBS diodes; PiN diode; SiC defect table; stacking faults;
机译:附有不同热界面材料的大功率发光二极管的可靠性
机译:4.5 MeV电子辐照引起的4H-SiC外延层中的点缺陷及其对功率JBS SiC二极管特性的影响
机译:深度水平对高功率AlGaN / GaN / SiC HEMTS的C-V特性的缺陷的影响
机译:4H-SIC脱落器中的点缺陷引入4.5MeV电子照射及其对功率JBS SIC二极管特性的影响
机译:高功率电子设备的建模与鉴定:闪光沸腾和GAN HEMT可靠性造型激光二极管的系统分析
机译:各种缺陷对4H-SiC肖特基二极管性能的影响及其与外延生长条件的关系
机译:双极传导对1.2和3.5kV 4H-siC JBs二极管的电特性和可靠性的影响