Russian Academy of Sciences, Institute of Radioengineering Electronics, 1 Vvedenskogo Sq., Friazino, Moscow Reg., 141190 Russia;
机译:Au蒸发通量下的GaAs表面改性
机译:蒸发和流体动力学对压缩等离子体流动作用下金属表面改性的影响
机译:在n-GaAs中通过快速(〜100 MeV)Si〜(7+)和Au〜(7+)离子进行表面改性
机译:电场对Au(111)表面纳米级表面修饰的影响
机译:柔性基材表面改性对喷墨打印的胶体液滴蒸发和沉积的影响。
机译:基于GaAs MMIC中双热流路径的n + GaAs / AuGeNi-Au热电偶型RF MEMS功率传感器
机译:GaAs的切割表面的输出工作的变化,与冷却相关