K200/OES/ITRI, Industrial Technology Research Institute Chutung, Hsinchu, Taiwan, R. O. C.;
机译:使用Super Inkjet技术直接制造微米级结构
机译:用于欧姆接触形成的微米级退火技术在GaN HEMT栅极优先技术中的应用
机译:用于全场微米/纳米尺度变形测量的二维扫描莫尔方法的发展
机译:一种使用喷墨技术形成微米尺度线的新方法
机译:使用当代的心理测量方法来为大型技术性能评估建立结构效度。
机译:具有微米级化学定型间隙的高性能晶体管的喷墨印刷
机译:适用于大面积柔性电子设备的微米级喷墨辅助数字光刻