Loffe Physico-Technical Institute, 194021, Polytechnisheskaya 26, St. Petersburg, Russia;
cathodoluminescence; thermal silicon oxide; silicon; interface;
机译:阴极发光法表征SiO2 / Si界面
机译:SiO_2 / 4H-SiC MOS二极管界面态密度表征方法的比较
机译:用光致载流子微波吸收法表征等离子体辐照的SiO_2 / Si界面性质
机译:通过阴极发光法表征SiO_2 / Si界面
机译:使用内聚区模型和润滑理论的界面表征的计算有效方法
机译:电子束法表征MOCVD InGaP / GaAs结中界面处多余层的化学性质
机译:用于表征硅氧化硅 - 硅界面的阴极发光法的应用。
机译:在宽范围的电子激发密度下的薄膜氧化物荧光粉的长期阴极发光特性