Consiglio Nazionale delle Ricerche - Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (CNR-IMM), Stradale Primosole 50, 95121 Catania, Italy;
University of Sheffield, Department of Engineering Materials, Sir Robert Hadfield Building, Mappin Street, Sheffie;
scanning probe microscopy (SPM); scanning impedance microscopy (SIM); conductive atomic force microscopy (C-AFM); dielectric properties; cacu_3ti_4o_(12) ceramics (CCTO); grain boundaries; electrical domains;
机译:CaCu3Ti4012介电特性的纳米级成像:表面缺陷的作用
机译:氧空位在高介电常数系统CaCu_3Ti_4O_(12)的磁性和介电性能中的作用:电子自旋共振研究
机译:不同合成方法制备的CaCu_3Ti_4O_(12)粉末对CaCu_3Ti_4O_(12)/聚偏二氟乙烯复合材料介电性能的影响
机译:CACU_3TI_4O_(12)介电性能的纳米级成像:表面缺陷的作用
机译:使用原子力显微镜在纳米尺度下对地下结构和力学性能进行定量成像。
机译:基于表面附着力测量的介电特性的纳米级映射
机译:使用射频磁控溅射在$ Pt / Ti / SiO_2 / Si $衬底上沉积的$ CaCu_3Ti_4O_ {12} $薄膜的沉积和介电特性