V.A. Fok Institute of Physics, Saint-Petersburg State University, Ulyanovskaya 1, 198504 Saint-Petersburg, Russia;
IV. Physikalisches Institut der Georg -August - Universitaet Goettingen, Friedrich-Hund-Platz 1, D-37077 Goettingen, Germany;
silicon; nickel silicide; precipitates; minority carrier diffusion length; hydrogenation;
机译:NiSi2的沉淀使电子结构对n型和p型硅中少数载流子寿命的影响
机译:氧化物沉淀对n型硅中少数载流子寿命的影响
机译:氧化物沉淀对p型硅中少数载流子寿命的影响
机译:NISI_2对N-和P型硅造成少数型载体寿命的电子结构的影响
机译:高纯N型硅中金属杂质对少数载流子寿命的影响。
机译:制备工艺和退火处理对硅纳米线薄膜少数载流子寿命的影响
机译:氧化物沉淀对n型硅中少数载流子寿命的影响
机译:在结晶硅太阳能电池制造过程中开发用于过程控制的在线少数载体寿命监测工具。年度分包商报告,2003年6月