Technische Physik Institute of Nanostructure Technologies and Analytics (INA) CINSaT University of Kassel 34132 Germany;
Departm. of Electrical Engineering and Russell Berrie Nanotechnology Institute (RBNI) Technion - Israel Institute of Technology Haifa Israel;
Temperature; Quantum dot lasers; Land surface temperature; Laser stability; Temperature dependence; Semiconductor optical amplifiers; Laser modes;
机译:高性能1.5μm波长InGaAs-InGaAsP应变量子阱激光器和放大器
机译:工作于1.5 /μm的InAs / InGaAsP量子点半导体光放大器的增益动力学
机译:InAs / InGaAsP量子点半导体光放大器在1.5μm处的增益特性
机译:1.5μm量子点激光器和放大器
机译:新型量子点激光器和放大器的光学和电学性质。
机译:消除用于制备1.3μm量子点激光器的InAs / GaAs量子点中的双峰尺寸
机译:1.5μm量子点二极管激光直接在CMOS标准(001)硅上生长
机译:量子级联激光主振荡器功率放大器,输出功率为1.5 W,输出功率为300 K.