NaMLab gGmbH Dresden Germany 01187;
ferroelectric capacitors; ferroelectric storage; integrated circuit design; leakage currents; neural chips; random-access storage; three-dimensional integrated circuits; tunnelling;
机译:具有长保留特性的有机铁电二极管适合非易失性存储应用
机译:在SOI(FBC)上使用单晶体管增益单元的存储器具有适合嵌入式DRAM的性能-单元特性和存储器性能的测量结果
机译:在SOI(FBC)上使用单晶体管增益单元的存储器具有适合嵌入式DRAM的性能-单元特性和存储器性能的测量结果
机译:适用于计算内存和神经形态应用的2TNC铁电存储器增益电池
机译:基于铁电Langmuir-Blodgett聚偏二氟乙烯共聚物薄膜的金属-铁电绝缘体-半导体结构的表征,用于无损随机存取存储器。
机译:用于神经形状应用的突触操作的核心壳双栅纳米线纳米线陷阱记忆
机译:一种全集成的重新编程CMOS-RRAM计算内存内存的内核应用程序