Institute of Industrial Science University of Tokyo;
Research Center for Advanced Science and Technology University of Tokyo 4-6-1 Komaba Meguro-ku Tokyo 153-8505 Japan;
Institute of Industrial Science University of Tokyo Research Center for Advanced Science and Technology University of Tokyo 4-6-1 Komaba Meguro-ku Tokyo 153-8505 Japan;
机译:通过Gaassb,IngaAs和Ingaassb应变减少层纵向InAs / GaAs量子点的光学性质
机译:用InGaAsSb应变减小层覆盖InAs量子点以改善光学性能和点尺寸均匀性
机译:在邻近GaAs(111)B上沿多原子步骤排列的InGaAs量子点阵列的光学各向异性
机译:带有InGaAs量子点链的InGaAs / GaAs异质结构的电特性各向异性
机译:用于太阳能电池的(铟,镓)砷化物量子点材料:应变降低和应变补偿势垒对量子点结构和光学性质的影响
机译:掺杂的自组装InAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs量子点中应变相关的光吸收的理论研究
机译:自组织各向异性应变工程在InGaAsP / InP(100)上形成线性InAs量子点阵列及其光学性质
机译:用于长波发射的InGaasN / Gaas量子阱和量子点结构的光学特性。