Department of Physics and CAPEM University at Buffalo The State University of New York Buffalo NY;
Department of Physics and CAPEM University at Buffalo The State Univer;
机译:使用红外光反射法的GaSb和Ga1-xInxAsySb1-y / GaSb(0.07 <= x <= 0.22,0.05 <= y <= 0.19)四元合金的能量和基带隙展宽参数的温度依赖性
机译:相对于硅化物Mn4Si7和MnSi,锰过量的非化学计量Si-Mn合金的磁输运性质
机译:Cu_2MnAl,Co_2MnGe和Co_2MnSi Heusler合金薄膜的磁输运性质:从纳米晶无序态到长程晶态
机译:NI_(80)FE_(20)/ FE_(50)MN_(50)/ NI_(80)FE_(20)三层磁场依赖性的磁化率依赖性
机译:形状记忆特性对Ni(Mn,Ga)合金晶体学变化的依赖性。
机译:半导体铁磁(GaSb)1-的高温磁性和微观结构x(MnSb)x合金
机译:电气和扩大参数的温度依赖性气体隙的膨胀参数和Ga1-XinxasysB1-Y / Gasb(0.07 <〜x〜0.22,0.05 <〜Y <〜0.19)使用红外光反射的季合金
机译:铁磁Gasb / mn数字合金;杂志文章