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Ni-Mn-Ga磁驱动记忆合金作为光磁混合存储材料的应用

摘要

Ni-Mn-Ga磁驱动记忆合金作为光磁混合存储材料的应用,它涉及Ni-Mn-Ga磁驱动记忆合金的新用途,特别是Ni-Mn-Ga磁驱动记忆合金作为光磁混合存储材料的应用。本发明解决了磁存储介质存在受超顺磁效应限制,记录密度高密度化受到限制的问题以及相变光存储介质需要一定的热积累过程,同时受存储介质热传导效应影响,导致信息存储密度低、写入及擦除速度慢的问题。一种Ni-Mn-Ga磁驱动记忆合金作为光磁混合存储材料的应用是以所述Ni-Mn-Ga磁驱动记忆合金用作光磁混合存储材料。光磁混合存储是一种全新的信息存储方式,它结合磁存储和光存储的优点,具有理论极限记录密度高、读出分辨率及灵敏度高、存取速度快等优点。

著录项

  • 公开/公告号CN101252009B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-01-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工业大学;

    申请/专利号CN200810064311.9

  • 发明设计人 高智勇;隋解和;蔡伟;谈昌龙;

    申请日2008-04-16

  • 分类号

  • 代理机构哈尔滨市松花江专利商标事务所;

  • 代理人毕志铭

  • 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

  • 入库时间 2022-08-23 09:08:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-06-05

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11B 11/105 授权公告日:20120104 终止日期:20120416 申请日:20080416

    专利权的终止

  • 2012-01-04

    授权

    授权

  • 2008-10-22

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-08-27

    公开

    公开

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