Department of Electrical Engineering National Cheng Kung University Tainan 701 Taiwan;
School of Electrical and Computer Engineering Purdue University West Lafayette IN 47907 U.S.A.;
Doping; Random access memory; Logic gates; Gallium arsenide; Nanowires; MOSFET;
机译:FinFET和3D堆叠纳米线FET器件之间功函数变化的比较,以实现6-T SRAM可靠性
机译:金属栅极粒度引起的随机波动对Si栅极全能纳米线MOSFET 6-T SRAM单元稳定性的影响
机译:纳米线织构在纳米晶硅太阳能电池上应用纳米晶嵌入的SiOx:H / bi-SiNx:H / SiOx:H堆叠涂层
机译:使用堆叠硅纳米线的区域有效的低压6-T SRAM电池
机译:硅纳米线/非晶硅复合太阳能电池的金属辅助纳米线生长
机译:反射式彩色滤光片通过将硅纳米线阵列堆叠到超薄光学涂层上可以精确控制色坐标
机译:堆叠单晶硅TFT细胞SRAM池的电气特性
机译:31%高效Gaas /硅机械堆叠多结集中器太阳能电池。