Thomas J. Watson Laboratory of Applied Physics, California Institute of Technology, Pasadena, CA 91125, U.S.A.;
机译:P + GaAs / N + Ingaas和P + Ingaas / N + Ingaas的晶片键合界面的电气分析
机译:晶圆相对旋转度对键合SiC / SiC界面电性能的影响
机译:低温A-GE晶片键合制造的不同粘合结构的界面特性及晶片键合GE / Si光电装置的应用
机译:晶圆键合InP / Si界面的电学和结构表征
机译:晶圆级集成系统的晶圆级有损互连线的电气特性和性能分析。
机译:2氨热自立式GaN晶片的结构和电气特性。试生产进展
机译:直接硅键合晶圆界面的电均匀性
机译:光电导alGaN探测器的制备和表征/ siC晶片的结构表征