SOFRADIR, 43-47 rue Camille Pelletan, 92290 CHATENAY-MALABRY, France;
HgCdTe; MBE; germanium substrates; focal plane arrays (FPA); Infrared detectors; MWIR; mega pixel;
机译:HgCdTe在大型MWIR焦平面阵列的硅基板上的MBE生长
机译:在4英寸硅基板上由MBE-生长的HgCdTe制成高性能的大幅面MWIR焦平面阵列
机译:硅衬底焦平面阵列上高性能MWIR HgCdTe
机译:MWIR焦平面阵列与MBE在锗基板上产生的HGCDTE制作
机译:MBE沉积铱硅化物,用于焦平面阵列应用
机译:MBE在(100)和(311)A GaAs衬底上生长的Be掺杂AlGaAs中深层缺陷的电学表征
机译:MWIR T2SL焦平面阵列的残余固定图案噪声和随机电报信号噪声
机译:1024x1024像素mWIR和LWIR QWIp焦平面阵列和320x256 mWIR:LWIR像素共置同时双频QWIp焦平面阵列