酸化バナジウム薄膜のピエゾ抵抗評価と圧力センサ応用

摘要

圧力センサをはじめとするMEMS 型の変位・歪みセンサrnの計測原理としてピエゾ抵抗効果が用いられる．これは材rn料が歪んだ際，その電気抵抗値が変化する現象であり，そのrn歪みに対する電気抵抗変化はゲージファクタ(GF)で評価さrnれる．Si，Ge 等の半導体材料は，金属に対して大きいGFrnを持ち，ピエゾ抵抗素子の代表的な材料である(1-3)．一方，rn酸化バナジウム(Vox)は一般的な金属に対して大きい電気rn抵抗温度係数を持ち，温度センサ材料として多く用いられrnている．しかし，これまでVox のGF を評価した研究や変rn位・歪みセンサとして利用した研究は確認されていない．rnVox も半導体材料であり，大きなGF を有する可能性があrnる．従来材料よりも大きなGF を有していれば，現状よりもrn更に高感度で圧力や変位を計測することが可能になる．