Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems Freiburg 79110 Germany;
Fraunhofer Institute for Solar Energy S;
Passivation; Silicon; Computer architecture; Conductivity; Microprocessors; Doping; Photovoltaic cells;
机译:在可变照明下使用转移长度方法测量的载波选择性钝化触点的电气表征的先进方法
机译:具有钝化过渡金属氧化物载体选择性触头C-Si异质结太阳能电池的性能分析
机译:具有替代种子层的C-Si太阳能电池嵌入载体选择性钝化触点的铜电镀金属化
机译:具有钝化,载流子选择性氧化镍触点的晶体硅太阳能电池
机译:金属氧化物/半导体异质结作为光伏应用的载流子选择触点。
机译:纳米线太阳能电池的电荷载流子选择触点
机译:多种SiOx和Poly-SICX载体选择性钝化触点的光学表征